Окись цинка, обладающая интересным сочетанием разнообразных физических и химических свойств

Окись цинка, обладающая интересным сочетанием разнообразных физических и химических свойств (высокие температура плавления и телопроводность, способ­ность эффективно поглощать ультрафиолетовое излучение, высокая фоточувствитель­ность, весьма интенсивная люминесценция, во многом уникальный пьезо- и пироэф-фект, адсорбция газов на поверхности и т.д.), находит широкое применение в элек­тронной и космической технике, химической промышленности и медицине. Исполь­зование окиси цинка настолько многогранно, что Международная исследовательская организация по свинцу и цинку (МИОСЦ) пришла к выводу о необходимости опубли­кования специальной монографии, посвященной этому вопросу. Естественно, что успех в применении окиси цинка во многом зависит от понимания реальной струк­туры кристаллов и тех внутренних процессов, которые приводят к возможности использования этого соединения. В этом плане, на наш взгляд, весьма полезной явля­ется неаавнО вышедшая монография немецких ученых, где особое внимание уделено поверхностным свойствам  ZnO.

Настоящая книга играет роль дополнения к упомянутым изданиям (см. также [3]) и посвящена проблемам, связанным со способами получения соединения, образова­нием и исследованием в нем собственных и примесных дефектов, а также изучению оптических процессов и применению окиси цинка. В некоторой степени данная моно­графия является и обобщением результатов, полученных авторами при выращивании монокристаллов и исследовании оптических свойств окиси цинка.

Естественно, что при современном количестве ежегодных публикаций, посвящен­ных изучению ZnO, рассмотреть все работы, касающиеся получения, исследования и применения этого интересно, э материала, практически невозможно. Поэтому авторы заранее благодарны всем коплегам, которое сообщат о возможных дополнениях к затронутым в книге вопросам.

Поскольку окись цинка ноляется универсальным материалом для фундаменталь­ных научных исследований в области физики твердого тела, можно надеяться, что сведения об этом уникальном соединении окажутся полезными для специалистов, работающих в области физики и химии полупроводников.

Авторы весьма признатзтьны редактору книги профессору И.К. Верещагину за доброжелательную критику и сделанные замечания, профессору К.В. Шалимо­вой, кандидату  B.A. Кузнецову и кандидату физико-математических наук А.И. Терещенко, П.Г. Пасько,.О.А. Лазаревской, Е.Е. Комаро­вой за помощь и поддержку в работе.