1. Ионная имплантация, определение тормозной способности.
2. Графическая иллюстрация соотношения различных механизмов торможения ионов.
3. Полная средняя длина пробега иона в мишени.
4. Проекция пробега иона в диффузионной модели Бирсака.
5. Проиллюстрировать условие tilt=0, rotation=0 в моделировании ионной имплантации.
6. Аналитические аппроксимации распределения ионов. Функция Гаусса.
7. Функция Гаусса с обобщенным экспоненциальным «хвостом»
8. Основные параметры распределения Пирсона-IV.
9. Привести иллюстрацию функции распределения Пирсона-IVс различными значениями параметра γ .
10. В процессе ионной имплантации подложка покрыта слоем маскирующего материала толщиной d1 . Проиллюстрируйте различие распределений примеси в подложке для различных соотношений между проективными пробегами в маскирующем слое и в подложке: а) R1 > R2 ; б) R1 < R2 ; R1 и R2 — средние проективные пробеги в маскирующем слое и в подложке, соответственно.
11. Первый закон Фика с учетом электрического поля.
12. Уравнение непрерывности для диффузии примеси в случае подвижных границ.
13. Вывести второй закон Фика.
14. Записать основные уравнения модели связанной диффузии для мышьяка, диффундирующего в составе комплекса (As+V=).
15. Определение кластеров и преципитатов.
16. Особенности эффекта временно-ускоренной диффузии (TED-эффект).
17. Доля монокристаллических областей в столбиковой и кубической моделях при моделировании диффузии в поликристаллическом кремнии.
18. Уравнения модели Дила-Гроува.
19. График x(t) в модели Дила-Гроува.
20. Модель Массуда для начального этапа процесса окисления.
21. Перечислить основные этапы численного моделирования процесса окисления.
22. Перечислить основные этапы численного моделирования процесса литографии.
23. Потребуется ли введение дополнительных точек закрепления струны после проведения первой итерации при моделировании травления подложки в присутствии маски, если временной шаг составляет 0.1 мин, скорость изотропного травления 0.1 мкм/мин, показатель анизотропии травителя равен 3, ограничение на длину сегмента струны составляет 30 нм. Ответ обосновать.
24. Записать базовые уравнения численного моделирования приборов в дрейфово-диффузионном приближении.
25. Проиллюстрировать основные шаги алгоритма построения сетки методом триангуляции Делоне.
Загрузка...
